• bbb

Оксаль GTO снуббер конденсаторлары

Кыска тасвирлау:

Бу конденсаторлар гадәттә ГТО саклавында очрый торган авыр ток импульсларына каршы торырга яраклы.Оксаль тоташулар серияле индуктивлыкны киметергә һәм көчле механик монтажлау ышанычлы электр контактын һәм хезмәт вакытында җитештерелгән җылылыкның яхшы җылылык таралышын тәэмин итә.


Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Техник мәгълүматлар

Эш температурасы диапазоны -40 ℃ - + 85 ℃
сыйдырышлык диапазоны 0.1μF ~ 5.6μF
Бәяләнгән көчәнеш

630V.DC ~ 2000V.DC

Кап.тол

± 5% (J); ± 10% (К)

Вольтка каршы торыгыз

1.5Un DC / 10S

Таркату факторы

tgδ≤0.0005 C≤1μF f = 10KHz

tgδ≤0.001 C≥1μF f = 10KHz

Изоляциягә каршы тору

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20 ℃ 100V.DC 60S)

C > 0.33μF RS * C≥5000S (20 ℃ 100V.DC 60S)

Забастовкалар токына каршы торыгыз мәгълүматлар таблицасын кара
Гомер озынлыгы

100000с (Un; otshotpot≤85 ° C)

Белешмә стандарты

IEC 61071; IEC 61881; GB / T17702

Кушымта

1. IGBT Снуббер, ГТО снубберы

2. Электр көчәнешенең иң югары көчәнеше, токның үзләштерүен саклаганда киң кулланыла.

План сызыгы

图片 1

SMJ-TE Аксаль конденсатор
Көчәнеш Un630V.DC; Urms400Vac; Без 945В
Потенциал (uF) L (мм ± 1) Т (мм ± 1) Н (мм ± 1) φd (мм) ESR @ 100KHz (mΩ) ESL (nH) dv / dt (V / μS) Ipk (A) Ирмс @ 25 ℃ @ 100КГц (А)
0.22 32 9.5 17.5 0.8 16 23 300 66 5.3
0.33 32 12 20 1 13 22 200 66 6.5
0.47 32 14.5 22.5 1 11 21 220 103.4 8.3
0.68 32 18 26 1 10 20 180 122.4 9.5
1 37 11 19 1 8 28 150 150 7.6
1.5 37 13.5 21.5 1 7 27 150 225 9.5
2 37 16 24 1.2 6 24 130 260 10.2
2.5 37 18 26 1.2 5.5 25 120 300 10.5
3 37 20 28 1.2 5 30 110 330 10.8
3.3 37 21 29 1.2 4.5 30 110 363 11.2
4 57 27 36.5 1.2 4.2 32 220 880 12.8
4.7 57 28 40.5 1.2 3.8 32 200 940 13.8
5.6 57 31 33.5 1.2 3.5 32 185 1036 13.5
6.8 37 29 41.5 1.2 2.5 28 100 680 13.8
6.8 57 34 46.5 1.2 2.8 30 180 1224 14.2
Көчәнеш Un 1000V.DC; Урмс 500Вак; Без 1500В
Потенциал (uF) L (мм ± 1) Т (мм ± 1) Н (мм ± 1) φd (мм) ESR @ 100KHz (mΩ) ESL (nH) dv / dt (V / μS) Ipk (A) Ирмс @ 25 ℃ @ 100КГц (А)
0.15 32 10 17.5 0.8 20 20 1100 165 5.5
0.22 32 12 20 1 15 21 1000 220 7.3
0.33 32 15.5 23 1 13 21 1000 330 8.7
0.47 32 18.5 26 1.2 10 23 1000 470 10.5
0.47 44 14 22 1.2 9 24 900 423 9.5
0.68 32 20 32.5 1.2 7 25 900 612 10.8
0.68 44 17 25 1.2 6 26 800 544 10.2
1 44 21.5 29.5 1.2 5.6 27 900 900 11
1.5 44 26 35.5 1.2 5 29 900 1350 12
1.5 57 21 29 1.2 5 30 700 1050 12.2
2 44 28 40.5 1.2 4.8 30 800 1600 13.2
2 57 24 33.5 1.2 4.8 32 600 1200 12.8
2.2 44 30 42.5 1.2 4.2 32 600 1320 13.8
2.2 57 25 34.5 1.2 4.2 32 500 1100 13.5
2.5 57 25 38 1.2 4 33 500 1250 14.2
3 57 28 40.5 1.2 3.5 34 480 1440 15.6
3.3 57 29.5 42 1.2 3.2 35 450 1485 16.5
3.5 57 30.5 43 1.2 3.2 35 450 1575 17.2
4.7 57 35 50.5 1.2 3 36 420 1974 17.8
5.6 57 38.5 65 1.2 2.8 38 400 2240 18.2
Көчәнеш Un 1200V.DC; Урмс 550Вак; Без 1800В
Потенциал (uF) L (мм ± 1) Т (мм ± 1) Н (мм ± 1) φd (мм) ESR @ 100KHz (mΩ) ESL (nH) dv / dt (V / μS) Ipk (A) Ирмс @ 25 ℃ @ 100КГц (А)
0.1 32 8.5 16 0.8 20 20 1300 130 6
0.15 32 10 17.5 1 18 20 1200 180 7.5
0.22 32 13 21 1 15 22 1200 264 8.3
0.33 32 16 24 1 12 23 1200 396 9
0.47 32 17.5 30 1.2 10 23 1200 564 9.5
0.47 44 15 23 1.2 9 26 1100 517 9.8
0.68 32 21.5 34 1.2 8 25 1100 517 10
0.68 44 18.5 26.5 1.2 6 27 1000 680 11.7
1 44 23 31 1.2 5 28 1000 1000 12.4
1.5 44 26.5 39 1.2 5 30 950 1425 13.5
1.5 57 22.5 30.5 1.2 5 29 900 1350 12.6
2 44 29 45 1.2 5 30 800 1600 14.2
2 57 26.5 34.5 1.2 4.8 30 750 1500 13.8
2.2 44 31 47 1.2 4.2 32 800 1760 14.5
2.2 57 27.5 35.5 1.2 4.2 35 700 1540 14.5
3 57 29 44.5 1.2 3.2 37 500 1500 17.2
3.3 57 30.5 46 1.2 3.2 38 450 1485 17.8
4.7 57 38 53.5 1.2 3 38 420 1974 18.2
Көчәнеш Un 1700V.DC; Urms 600Vac; Без 2550В
Потенциал (uF) L (мм ± 1) Т (мм ± 1) Н (мм ± 1) φd (мм) ESR @ 100KHz (mΩ) ESL (nH) dv / dt (V / μS) Ipk (A) Ирмс @ 25 ℃ @ 100КГц (А)
0.1 32 9.5 17.5 0.8 18 25 1300 130 7.5
0.15 32 12 20 1 16 24 1200 180 8.5
0.22 32 15 23 1 15 24 1200 264 9.3
0.33 32 18.5 26.5 1 12 22 1200 396 9.9
0.33 44 13.5 21.5 1.2 12 29 1100 363 10.2
0.47 44 16 24 1.2 9 28 1000 470 11.2
0.68 44 20 28 1.2 8 27 1000 680 11.7
1 44 24 33.5 1.2 5.6 26 900 900 12.4
1 57 19.5 27.5 1.2 6 33 850 850 10.8
1.5 44 28 40.5 1.2 4.8 25 800 1200 13.5
1.5 57 24 32 1.2 5 33 750 1125 13.5
2 44 31.5 47 1.2 4.5 24 750 1500 14.2
2 57 27.5 37 1.2 4.8 32 650 1300 12.8
2.2 44 33.5 49 1.2 4.5 34 700 1540 15.6
2.2 57 29 40 1.2 4.2 32 600 1320 14.5
3 57 31 46.5 1.2 4 30 560 1680 17.2
3.3 57 33 48.5 1.2 3.2 29 500 1650 17.6
4 57 37 52.5 1.2 3 28 450 1800 18.2
Көчәнеш Un 2000V.DC; Урмс 700Вак; Без 3000В
Потенциал (uF) L (мм ± 1) Т (мм ± 1) Н (мм ± 1) φd (мм) ESR @ 100KHz (mΩ) ESL (nH) dv / dt (V / μS) Ipk (A) Ирмс @ 25 ℃ @ 100КГц (А)
0.068 32 9 17 0.8 25 23 1500 102 6.9
0.1 32 11.5 19.5 1 18 22 1500 150 8.2
0.1 37 10.5 18.5 1 18 26 1450 145 8
0.22 32 17.5 25.5 1.2 15 21 1400 308 9.1
0.22 37 16 24 1.2 15 25 1300 286 9
0.33 37 20 28 1.2 12 24 1250 412.5 9.5
0.33 44 18 26 1.2 12 30 1200 396 10.2
0.47 44 19.5 32 1.2 10 29 1100 517 12.4
0.68 44 24 36.5 1.2 8 28 1000 680 14.2
0.68 57 18.5 31 1.2 8 27 900 612 14.2
1 57 23.5 36 1.2 6 31 950 950 14.5
1.5 57 29.5 42 1.2 5 31 850 1275 14.5
2 57 33 48.5 1.2 4.2 31 750 1500 16.5
2.2 57 35 50.5 1.2 4 30 700 1540 17.8
Көчәнеш Un 3000V.DC; Urms 750Vac; Без 4500В
Потенциал (uF) L (мм ± 1) Т (мм ± 1) Н (мм ± 1) φd (мм) ESR @ 100KHz (mΩ) ESL (nH) dv / dt (V / μS) Ipk (A) Ирмс @ 25 ℃ @ 100КГц (А)
0.047 44 13.5 21.5 1 22 20 2000 94 8.5
0.068 44 17 25 1 20 20 1800 122.4 10.5
0.1 44 20.5 28.5 1.2 18 20 1500 150 12.4
0.15 44 26 34 1.2 16 22 1350 202.5 13.8
0.22 44 29 41.5 1.2 14.5 22 1200 264 14.5

  • Алдагы:
  • Алга:

  • Хәбәрегезне безгә җибәрегез:

    Хәбәрегезне монда языгыз һәм безгә җибәрегез

    Хәбәрегезне безгә җибәрегез: