Металлизацияләнгән пленка IGBT Snubber конденсаторы

Кыскача тасвирлама:

1. Пластик корпус, сумала белән герметикланган;

2. Калай белән капланган бакыр өстәмәләр, IGBT өчен җиңел урнаштыру;

3. Югары көчәнешкә, түбән tgδ, түбән температура күтәрелүенә чыдамлык;

4. түбән ESL һәм ESR;

5. Югары импульслы ток.

Безгә электрон почта җибәрегез PDF рәвешендә йөкләү

Продукт детальләре

Продукт теглары

SMJ-P сериясе

Көч электроникасында, электр үткәргечләренең паразит индуктивлыгын киметү максатыннан, снуббер конденсаторы зур токлы күчерү төененә тоташтырыла.

Паразит индуктивлык сүндерелгәндә (ток блокланганда) зур көчәнешкә китерә, һәм мондый көчәнешләр компонентларның номиналь күрсәткечләреннән артып китсә, иң начар очракта нәтиҗәдә эшләмәү куркынычы бар.

Түбән индуктивлыклы эчке конструкцияләрне, өстәмә калыпланган сумала корпусларын һәм шәхси терминалларны кулланып, SMJ-P сериясе IGBTS тиз алыштыру өчен эшләнгән һәм снубберлар һәм югары токлы югары ешлыклы керү фильтрлары буларак хезмәт итә ала.

Техник мәгълүматлар

Көчәнеш	Ун 700В.DC,Urms400V;Us1050V
	Үлчәм (мм)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100 кГц (мΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ипк(А)	Ирмс @40℃ @100 кГц (А)
0,47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0,68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380 ел	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496 ел	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33
Көчәнеш	Ун 1000В.DC,Urms500Vac;Us1500V
	Үлчәм (мм)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ЭСР (мΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс
0,47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0,68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815 ел	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750 ел	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000 ел	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974 ел	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
Көчәнеш	Ун 1200В.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ЭСР (мΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс
0,47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0,68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750 ел	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815 ел	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750 ел	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974 ел	32
Көчәнеш	Ун 1700В.DC,Urms575Vac;Us2250В
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ЭСР (мΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс
0,33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0,47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0,68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980 ел	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750 ел	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32
Көчәнеш	Ун 2000В.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ЭСР (мΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс
0,22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0,33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0,47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0,68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0,68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0,82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540 ел	32
Көчәнеш	Ун 3000В.DC,Urms750V;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ЭСР (мΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0,22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0,22	57.5	35	50	15	25	2000 ел	330	20
0,33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0,47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0,68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28